STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 40 A, 650 V 168 W, 3-Pin AN N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 192-4809
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT20H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4809
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- STGWT20H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Trench-Gate-Field-Stop-IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 168W | |
| Gehäusegröße | AN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Trench-Gate-Field-Stop-IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 168W | ||
Gehäusegröße AN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie HB | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- KR
Diese Geräte sind IGBTs, die mit einem Advanced-eigenen Trench Gate und einer Feldstoppstruktur entwickelt wurden. Das Gerät ist Teil der neuen IGBTs der HB-Serie, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Hochgeschwindigkeits-Schaltserie
Minimierter Endstrom
VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Bleifreies Gehäuse
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