STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.5.944

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8CHF.2.972CHF.5.94
10 - 18CHF.2.877CHF.5.74
20 - 48CHF.2.793CHF.5.60
50 - 98CHF.2.73CHF.5.46
100 +CHF.2.657CHF.5.31

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
192-4809
Herst. Teile-Nr.:
STGWT20H65FB
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

168 W

Gehäusegröße

TO

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
KR
Diese Geräte sind IGBTs, die mit einem Advanced-eigenen Trench Gate und einer Feldstoppstruktur entwickelt wurden. Das Gerät ist Teil der neuen IGBTs der HB-Serie, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Hochgeschwindigkeits-Schaltserie
Minimierter Endstrom
VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Bleifreies Gehäuse

Verwandte Links