onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
195-8770
Herst. Teile-Nr.:
NXH100B120H3Q0STG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

186 W

Konfiguration

Dual

Gehäusegröße

Q0BOOST

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

22

Transistor-Konfiguration

Dual

Abmessungen

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.

IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe

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