STMicroelectronics IGBT / 115 A ±20V max. , 650 V 357 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
206-8629
Herst. Teile-Nr.:
STGW75H65DFB2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

115 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

357 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

4

Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Ausgezeichnete Schaltleistung dank des extra treibenden Kelvin-Stifts

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