Infineon IGBT / 85 A, 650 V 273 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

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215-6677
Herst. Teile-Nr.:
IKZ50N65EH5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

85A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

273W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

4

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 650-V-Zweifach-bipolare Transistor mit isoliertem Gate und die Diode werden mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode kopadiert.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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