Infineon IGBT / 30 A, 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4395
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.52.11
Auf Lager
- 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.1.737 | CHF.52.00 |
| 60 - 120 | CHF.1.646 | CHF.49.39 |
| 150 - 270 | CHF.1.576 | CHF.47.33 |
| 300 - 570 | CHF.1.505 | CHF.45.24 |
| 600 + | CHF.1.404 | CHF.42.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4395
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JESD-022 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | IHW30N135R5 | |
| Länge | 21.1mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JESD-022 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie IHW30N135R5 | ||
Länge 21.1mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der reversierende IGBT der Infineon Serie IHW mit monolithisch integrierter Diode in einem TO-247-Gehäuse mit Schwerpunkt auf Systemeffizienz und Zuverlässigkeit für die anspruchsvollen Anforderungen des Induktionskochens. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1350 V und 30 A Kollektorstrom.
Erhöhte Schaltfrequenz
Geringste Verlustleistung
Besseres Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Geringere Anforderungen an die Filterung elektromagnetischer Störungen
Niedrigere Systemkosten
Höchste Zuverlässigkeit gegen Peak Current
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1350 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max. , 1350 V 340 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 35 A ±20V max. , 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal
- Infineon IGBT / 25 A 20V max. , 1200 V 231 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A 20V max. , 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A 20V max. , 1200 V 500 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal