Infineon IGBT / 30 A, 1100 V 330 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-1051
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-1051
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 60kHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 60kHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IGBTs sind ein Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode und wurden entwickelt, um die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit einseitiger Resonanztopologie zu erfüllen. Es besteht aus einer besten Produktleistung und hoher Kompatibilität.
Niedrigste Verlustleistung
Bessere Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Optimiert für Schaltfrequenz
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