Infineon IGBT / 30 A 5.8V max. , 1100 V, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.57 |
| 10 - 24 | CHF.2.32 |
| 25 - 49 | CHF.2.16 |
| 50 - 99 | CHF.2.02 |
| 100 + | CHF.1.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1100 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 5.8V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1100 V | ||
Gate-Source Spannung max. 5.8V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Die Infineon IGBTs sind ein Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode und wurden entwickelt, um die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit einseitiger Resonanztopologie zu erfüllen. Es besteht aus einer besten Produktleistung und hoher Kompatibilität.
Niedrigste Verlustleistung
Bessere Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Optimiert für Schaltfrequenz
Bessere Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Optimiert für Schaltfrequenz
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