Infineon IGBT / 30 A, 1100 V 330 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.444
Auf Lager
- 139 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.44 |
| 10 - 24 | CHF.3.11 |
| 25 - 49 | CHF.2.89 |
| 50 - 99 | CHF.2.69 |
| 100 + | CHF.2.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1052
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 60kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 60kHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 41.42mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 21.1 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IGBTs sind ein Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode und wurden entwickelt, um die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit einseitiger Resonanztopologie zu erfüllen. Es besteht aus einer besten Produktleistung und hoher Kompatibilität.
Niedrigste Verlustleistung
Bessere Wärmemanagement für höhere Zuverlässigkeit
Optimiert für Schaltfrequenz
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A 5.8V max. , 1100 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1350 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 83 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 95 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
- Infineon IGBT / 25 A 20V max. , 1200 V 231 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A 20V max. , 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal