Teile-Nr.

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6062
Herst. Teile-Nr.:: IGB50N65S5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 226-6062
Herst. Teile-Nr.:: IGB50N65S5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	270 W
	Gehäusegröße	PG-TO263
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 270 W
	Gehäusegröße PG-TO263
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IGB50N65S5ATMA1

Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal

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