Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 226-6062
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 226-6062
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270W | ||
Gehäusegröße PG-TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TrenchStop | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.
Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom
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