Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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226-6074
Herst. Teile-Nr.:
IGD06N60TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

12A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IGD06N60T ist eine sehr weiche, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode mit schneller Erholung und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er hat einen geringen Schaltverlust.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

Kurzschlussfestigkeit: 5 Mikrosekunde

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