Teile-Nr.

Infineon IGBT / 12 A 20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6074
Herst. Teile-Nr.:: IGD06N60TATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 12 A 20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 226-6074
Herst. Teile-Nr.:: IGD06N60TATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	12 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Verlustleistung max.	88 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Konfiguration	Single
	Gehäusegröße	PG-TO252
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 12 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Verlustleistung max. 88 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Konfiguration Single
	Gehäusegröße PG-TO252
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IGD06N60TATMA1

Die Infineon IGD06N60T ist eine sehr weiche, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode mit schneller Erholung und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er hat einen geringen Schaltverlust.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit: 5 Mikrosekunde

Infineon IGBT / 12 A 20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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