STMicroelectronics IGBT, 1200 V 535 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
244-3195
Herst. Teile-Nr.:
STGYA50H120DF2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

535W

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

5μs

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

H

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics IGBT wurde mit einer Advanced proprietären Trench Gate Feldstoppstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der Serie H von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um die Effizienz von Hochfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C.

5 μs Kurzschlussfestigkeit

Niedriger VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 50 A

Enge Parameterverteilung

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Niedriger Wärmewiderstand

Antiparallele Diode mit sehr schneller Wiederherstellung

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