STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
248-4895
Herst. Teile-Nr.:
STGYA50M120DF3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

535W

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Breite

21.1 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

STGYA50M120DF3

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C

10 μs Kurzschlussfestigkeit

Niedrige VCE(sat)

Enge Parameterverteilung

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Niedriger Wärmewiderstand

Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

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