STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-4895
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.181.80
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF.6.06 | CHF.181.74 |
| 150 + | CHF.5.979 | CHF.179.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4895
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT, 1200 V 535 W, 3-Pin
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 150 A, 1200 V 750 W, 3-Pin Max247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 6 A, 1200 V 25 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 30 A, 1200 V 220 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- ROHM IGBT / 50 A, 1200 V 395 W, 3-Pin TO-247N Typ N-Kanal Durchsteckmontage