STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage

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248-4896
Herst. Teile-Nr.:
STGYA50M120DF3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

535W

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

21.1 mm

Serie

STGYA50M120DF3

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C

10 μs Kurzschlussfestigkeit

Niedrige VCE(sat)

Enge Parameterverteilung

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Niedriger Wärmewiderstand

Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

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