STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1.2 kV 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 6.06 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 6.55
Auf Lager
- 41 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | CHF 6.55 | - |
| 10 + | CHF 5.94 | CHF 6.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Breite | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Breite 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT, 1200 V 535 W, 3-Pin
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 535 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 150 A, 1200 V 750 W, 3-Pin Max247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 30 A, 1200 V 220 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 6 A, 1200 V 25 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 398 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage