STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 1 - 4 | CHF.7.99 |
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| 10 - 24 | CHF.6.83 |
| 25 - 49 | CHF.6.15 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 535 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | Max. 247 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 535 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße Max. 247 | ||
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
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