onsemi IGBT-Modul 119 W F1-4PACK Oberfläche

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6958
Herst. Teile-Nr.:
NXH020F120MNF1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Anzahl an Transistoren

4

Gehäusegröße

F1-4PACK

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

NXH020F120MNF1PTG

Höhe

12.35mm

Länge

48.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 20 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.

SiC-MOSFET-Halbbrücke, 20 m/1200 V

Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM

Pressstifte

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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