Teile-Nr.

Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2

RS Best.-Nr.:: 259-1502
Herst. Teile-Nr.:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2

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RS Best.-Nr.:: 259-1502
Herst. Teile-Nr.:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	95 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	275 W
	Konfiguration	Array 6
	Gehäusegröße	ACEPACK 2

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 95 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 275 W
	Konfiguration Array 6
	Gehäusegröße ACEPACK 2

Datasheet - FS75R07W2E3B11ABOMA1

Die Infineon Easy Pack 2B-Module mit Trenchstop IGBT3, emittergesteuerter 3-Diode und PressFIT/NTC.

Erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis 650 V
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte

Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2

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