Infineon IGBT-Modul / 95 A, 650 V 275 W ACEPACK 2 Klemme
- RS Best.-Nr.:
- 259-1503
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
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- 259-1503
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- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 95A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 275W | |
| Gehäusegröße | ACEPACK 2 | |
| Montageart | Klemme | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FP75 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 42.5 mm | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 56.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 95A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 275W | ||
Gehäusegröße ACEPACK 2 | ||
Montageart Klemme | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FP75 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 42.5 mm | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 56.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Easy Pack 2B-Module mit Trenchstop IGBT3, emittergesteuerter 3-Diode und PressFIT/NTC.
Erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis 650 V
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
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