Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max., 1200 V 680 W Modul

RS Best.-Nr.:: 273-7405
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12PT4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max., 1200 V 680 W Modul

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RS Best.-Nr.:: 273-7405
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12PT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	200 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	680 W
	Gehäusegröße	Modul
	Montage-Typ	Tafelmontage

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 200 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Verlustleistung max. 680 W
	Gehäusegröße Modul
	Montage-Typ Tafelmontage

Datasheet - FS150R12PT4BOSA1

Das IGBT-Modul von Infineon hat VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten. Dieses GBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 150 A. Dieses IGBT-Modul wird für Hochleistungsumrichter, Motorantriebe und USV-Anlagen verwendet.

Niedriger VCEsat
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Geringe Schaltverluste

Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max., 1200 V 680 W Modul

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