Infineon IGBT-Modul / 200 A, 1200 V 680 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7405
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.276.84 |
| 10 - 99 | CHF.251.64 |
| 100 - 249 | CHF.230.61 |
| 250 + | CHF.212.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7405
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 680W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61140, ULapproved(E83335), EN61140 | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Breite | 87 mm | |
| Länge | 130mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 680W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61140, ULapproved(E83335), EN61140 | ||
Höhe 20.5mm | ||
Breite 87 mm | ||
Länge 130mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon hat VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten. Dieses GBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 150 A. Dieses IGBT-Modul wird für Hochleistungsumrichter, Motorantriebe und USV-Anlagen verwendet.
Niedriger VCEsat
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Geringe Schaltverluste
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