STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max. , 1350 V 340 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 275-1345
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA25IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.78.12
Auf Lager
- 120 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.2.604 | CHF.78.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 275-1345
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA25IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 25 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1350 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 340 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | Bidirektional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 25 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1350 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 340 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ Bidirektional | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max. , 1350 V 340 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 35 A ±20V max. , 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1350 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 85 A 20V max. , 1600 V 395, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal