STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor, 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1347
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF 2.303 | CHF 69.08 |
| 150 - 270 | CHF 2.242 | CHF 67.36 |
| 300 + | CHF 2.182 | CHF 65.51 |
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- RS Best.-Nr.:
- 275-1347
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 35A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 19.92mm | |
| Höhe | 21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 35A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 19.92mm | ||
Höhe 21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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