onsemi IGBT / 10 A, 430 V 130 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.19

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 2'140 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5CHF.1.838CHF.9.21
10 - 95CHF.1.788CHF.8.96
100 - 245CHF.1.747CHF.8.75
250 - 495CHF.1.697CHF.8.50
500 +CHF.1.667CHF.8.32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
862-9347
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V2040D3ST
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

430V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

EcoSPARK

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Energie

200mJ

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links