STMicroelectronics MDmesh M9 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 312 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
151-783
Herst. Teile-Nr.:
STWA65N045M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M9

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.90 mm

Länge

20.10mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativen Super-Junction-Technologie MDmesh M9, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit einem sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche geeignet ist. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das Ergebnis ist ein Produkt mit einem der niedrigsten On-Widerstände und reduzierten Gate-Ladungswerten unter allen schnell schaltenden Super-Junction-Power-MOSFETs auf Siliziumbasis, das sich besonders für Anwendungen eignet, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern

Höherer VDSS-Wert

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Hervorragendes Schaltverhalten

Einfacher Antrieb

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