STMicroelectronics STW65N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 312 W, 3-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 287-7055
- Herst. Teile-Nr.:
- STW65N045M9-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Serie | STW65N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Serie STW65N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativen Super Junction MDmesh M9-Technologie. Die auf Silizium basierende M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bausteinstruktur ermöglicht. Das Ergebnis ist ein Produkt mit einem der niedrigsten Durchlasswiderstände und reduzierten Gate-Ladungswerten unter allen schnell schaltenden Super Junction Power MOSFETs auf Siliziumbasis, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Höhere dv/dt-Fähigkeit
Hervorragendes Schaltverhalten
Einfache Ansteuerung
100 Prozent Avalanche getestet
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