STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-952
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.594 | CHF.12.98 |
| 50 - 95 | CHF.2.468 | CHF.12.33 |
| 100 - 495 | CHF.2.279 | CHF.11.40 |
| 500 - 995 | CHF.2.10 | CHF.10.51 |
| 1000 + | CHF.2.027 | CHF.10.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-952
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh II | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.36Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh II | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.36Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 6.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstands- und Gate-Ladungen zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
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