IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 96 A 480 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.646

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 21 Einheit(en) mit Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.8.65
5 - 19CHF.8.08
20 - 49CHF.7.58
50 - 99CHF.6.44
100 +CHF.6.19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
194-322
Herst. Teile-Nr.:
IXFH96N15P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

96A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Verlustleistung Pd

480W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.26mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.46mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links