IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 920-0773
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH26N50P
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.171.21
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.5.707 | CHF.171.32 |
| 60 - 120 | CHF.5.535 | CHF.166.20 |
| 150 - 270 | CHF.5.373 | CHF.161.05 |
| 300 + | CHF.5.141 | CHF.154.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-0773
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH26N50P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 230mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.46mm | |
| Länge | 16.26mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 230mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.46mm | ||
Länge 16.26mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 460 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 74 A 480 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247