IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 460 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF 198.48

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 120CHF 6.616CHF 198.56
150 - 270CHF 6.232CHF 187.04
300 +CHF 5.333CHF 159.83

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-0760
Herst. Teile-Nr.:
IXFH26N60P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

460W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.46mm

Länge

16.26mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.