STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 29 A 673 W, 4-Pin Hip-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 215-222
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT015W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 215-222
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT015W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 673W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 167nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 673W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 167nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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