STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-235
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040W120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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