STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 236 W, 4-Pin SCT070W120G3-4AG
- RS Best.-Nr.:
- 215-244
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 215-244
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10 to 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10 to 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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