DiodesZetex Doppelt ZXMS6008DN8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 216-348
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMS6008DN8-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.13W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.13W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.45mm | ||
Breite 6 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein zweifach selbstgeschützter IntelliFET-MOSFET mit niedriger Seite und Logikpegel-Eingang. Er integriert über Temperatur, Überstrom, Überspannung und ESD-geschützte Logikpegel-Funktionalität. Er ist ideal als Universalschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen angetrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.
Kompaktes Hochleistungs-Dissipationsgehäuse
Niedriger Eingangsstrom
Kurzschlussschutz mit automatischem Neustart
Überspannungsschutz
Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
Überstromschutz
Eingangs-ESD-Schutz
Hoher Dauerstrom-Nennstrom
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