Nexperia NSF030120D7A0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 67 A 306 W, 7-Pin NSF030120D7A0J TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 219-443
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120D7A0J
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 219-443
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120D7A0J
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NSF030120D7A0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 306W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NSF030120D7A0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 306W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Nexperia SiC Power MOSFET wird in einem kompakten 7-poligen TO-263 Kunststoffgehäuse für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten geliefert. Aufgrund seiner hervorragenden RDS(on)-Temperaturstabilität und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit eignet er sich ideal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Spannung, wie z. B. Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Schnelle Rückgewinnung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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