Nexperia NSF030120L3A0 Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 48 A 306 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

CHF.29.19

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 448 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9CHF.29.19
10 - 99CHF.26.27
100 +CHF.24.23

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-450
Herst. Teile-Nr.:
NSF030120L3A0Q
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NSF030120L3A0

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

306W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

113nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Ursprungsland:
CN
Der SiC-Leistungs-MOSFET von Nexperia wird in einem kompakten 3-poligen TO-247-3-Kunststoffgehäuse für die Durchgangsbohrungsmontage auf Leiterplatten geliefert. Seine ausgezeichnete RDS(on)-Temperaturstabilität und schnelle Schaltgeschwindigkeit machen ihn ideal für Hochleistungs-Hochspannungs-Industrieanwendungen, einschließlich Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.

Schnelle Rückgewinnung

Hohe Umschaltgeschwindigkeit

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Verwandte Links