ROHM RS6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 210 A 104 W, 8-Pin RS6G120BHTB1 HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-580
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G120BHTB1
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.701 | CHF.8.52 |
| 50 - 95 | CHF.1.617 | CHF.8.09 |
| 100 - 495 | CHF.1.502 | CHF.7.49 |
| 500 - 995 | CHF.1.376 | CHF.6.89 |
| 1000 + | CHF.1.323 | CHF.6.64 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-580
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G120BHTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RS6 | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67.0nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RS6 | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67.0nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM N-Kanal 40V 210A Leistungs-MOSFET in einem HSMT8-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und ein Hochleistungsdesign aus, wodurch er sich ideal für Schalt-, Motorantriebs- und Gleichstrom- oder Gleichspannungswandleranwendungen eignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
100% Rg und UIS getestet
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