ROHM RS6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 104 W, 8-Pin RS6L120BHTB1 HSOP-8

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Herst. Teile-Nr.:
RS6L120BHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

RS6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM N-Kanal 60V 150A Leistungs-MOSFET in einem HSMT8-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und ein Hochleistungsdesign aus, wodurch er sich ideal für Schalt-, Motorantriebs- und Gleichstrom- oder Gleichspannungswandleranwendungen eignet.

Niedriger Einschaltwiderstand

Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

100% Rg und UIS getestet

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