ROHM HP8J Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 12.5 A 21 W, 8-Pin HSOP-8 HP8JE5TB1

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264-654
Herst. Teile-Nr.:
HP8JE5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8J

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

127mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

21W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38.0nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Semiconductor ist ein Dual-P-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schalt- und Motorantriebsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Verlustleistung aus und ist damit ideal für Hochleistungsschaltungen. Der Baustein ist in einem 8-HSOP-Gehäuse untergebracht, das eine kompakte und zuverlässige Oberflächenmontage gewährleistet.

Erfüllt RoHS

Leistungsstarkes Paket

Pb-freie Beschichtung

Halogenfrei

Rg und UIS getestet

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