ROHM RS1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 43 A 40 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-472
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1N110ATTB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.13.76
Vorübergehend ausverkauft
- 110 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.376 | CHF.13.73 |
| 100 - 240 | CHF.1.302 | CHF.13.04 |
| 250 + | CHF.1.208 | CHF.12.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-472
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1N110ATTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Serie | RS1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Serie RS1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und ist in einem kleinen Gehäuse für hohe Leistungen untergebracht, wodurch er sich ideal für Schaltanwendungen und Motorantriebe eignet. Seine kompakte Größe ermöglicht eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.
RoHS-Konformität
Geringer Widerstand
Pb-freie Beschichtung
Halogenfrei
100 Prozent Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- ROHM RQ3N060AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 18 A 20 W, 8-Pin RQ3N060ATTB1 HSOP-8
- ROHM HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 20 W, 8-Pin HSOP-8 HP8MC5TB1
- ROHM HP8J Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 12.5 A 21 W, 8-Pin HSOP-8 HP8JE5TB1
- ROHM RS6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 135 A 104 W, 8-Pin RS6N120BHTB1 HSOP-8
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HSOP-8 HP8MB5TB1
- ROHM RS1P600BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W, 8-Pin HSOP-8
- ROHM RS6L120BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 104 W HSOP-8