ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 13 W, 8-Pin TO-263 HT8KB5TB1

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264-763
Herst. Teile-Nr.:
HT8KB5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HP8

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 40V 12A Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

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