ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 7 V / 7 A 96 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-921
- Herst. Teile-Nr.:
- R6007RND3TL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.5.20
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.04 | CHF.5.22 |
| 50 - 95 | CHF.0.987 | CHF.4.96 |
| 100 - 495 | CHF.0.924 | CHF.4.60 |
| 500 - 995 | CHF.0.851 | CHF.4.23 |
| 1000 + | CHF.0.819 | CHF.4.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-921
- Herst. Teile-Nr.:
- R6007RND3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 7V | |
| Serie | R60 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.940Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 7V | ||
Serie R60 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.940Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Presto MOS hat eine Nennspannung von 600 V und eine Strombelastbarkeit von 7 A in einem TO-252 DPAK-Gehäuse mit einer integrierten Hochgeschwindigkeitsdiode. Er ist ein schneller trr-Leistungs-MOSFET, der sich ideal für hocheffiziente Schaltanwendungen eignet.
Schnelle Rücklaufzeit trr
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Antriebsschaltungen können einfach sein
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
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