ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 60 W, 3-Pin R6004RND3TL1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
R6004RND3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R60

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.73Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Presto MOS hat eine Nennspannung von 600 V und eine Strombelastbarkeit von 4 A in einem TO-252 DPAK-Gehäuse mit einer integrierten Hochgeschwindigkeitsdiode. Er ist ein schneller trr-Leistungs-MOSFET, der sich ideal für hocheffiziente Schaltanwendungen eignet.

Schnelle Rücklaufzeit trr

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Antriebsschaltungen können einfach sein

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

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