ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 60 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-919
- Herst. Teile-Nr.:
- R6004RND3TL1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 264-919
- Herst. Teile-Nr.:
- R6004RND3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | R60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.73Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie R60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.73Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Presto MOS hat eine Nennspannung von 600 V und eine Strombelastbarkeit von 4 A in einem TO-252 DPAK-Gehäuse mit einer integrierten Hochgeschwindigkeitsdiode. Er ist ein schneller trr-Leistungs-MOSFET, der sich ideal für hocheffiziente Schaltanwendungen eignet.
Schnelle Rücklaufzeit trr
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Antriebsschaltungen können einfach sein
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
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