ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V 6.6 W, 3-Pin R6002JND4TL1 SOT-223-3

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Herst. Teile-Nr.:
R6002JND4TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223-3

Serie

R60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

6.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.0nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 600V 1A SOT-223-3 Presto MOS mit integrierter Hochgeschwindigkeitsdiode ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Rückwärtserholungszeit, geeignet für Schaltanwendungen. Dies erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Rücklaufzeit, die für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken und Klimaanlagen optimiert ist.

Schnelle Rücklaufzeit

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Antriebsschaltungen können einfach sein

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

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