onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.2 W, 4-Pin FDT86102LZ SOT-223

RS Best.-Nr.:: 759-9194
Herst. Teile-Nr.:: FDT86102LZ
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.2 W, 4-Pin FDT86102LZ SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 759-9194
Herst. Teile-Nr.:: FDT86102LZ
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	PowerTrench
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	46mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.7mm
	Breite	6.7 mm
	Distrelec Product Id	304-45-653
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie PowerTrench
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.7mm
	Breite 6.7 mm
	Distrelec Product Id 304-45-653
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.2 W, 4-Pin FDT86102LZ SOT-223

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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