onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin FDT86106LZ SOT-223

RS Best.-Nr.:: 759-9706
Herst. Teile-Nr.:: FDT86106LZ
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin FDT86106LZ SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 759-9706
Herst. Teile-Nr.:: FDT86106LZ
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	PowerTrench
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	189mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.2W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.7 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.7mm
	Höhe	1.7mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie PowerTrench
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 189mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.2W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.7 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.7mm
	Höhe 1.7mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin FDT86106LZ SOT-223

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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