onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 10.42 W, 4-Pin FDT1600N10ALZ SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
FDT1600N10ALZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

375mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

10.42W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.7mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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