onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.3 A 2.2 W, 4-Pin FDT86113LZ SOT-223

RS Best.-Nr.:: 759-9715
Herst. Teile-Nr.:: FDT86113LZ
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.3 A 2.2 W, 4-Pin FDT86113LZ SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:: FDT86113LZ
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	PowerTrench
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	189mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.1nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.2W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.7mm
	Länge	3.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.7 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie PowerTrench
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 189mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.2W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.7mm
	Länge 3.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.7 mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.3 A 2.2 W, 4-Pin FDT86113LZ SOT-223

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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