onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.8 A 2.2 W, 4-Pin FDT86244 SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
FDT86244
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

237mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.7 mm

Länge

3.7mm

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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