onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.8 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 759-9718
- Herst. Teile-Nr.:
- FDT86244
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.255
Auf Lager
- 3’765 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.0.651 | CHF.3.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9718
- Herst. Teile-Nr.:
- FDT86244
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 237mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Breite | 6.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 237mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Breite 6.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.8 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.3 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 10.42 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.4 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 850 mA 2.2 W, 4-Pin SOT-223