onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 806-1255
- Herst. Teile-Nr.:
- NDT014L
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.13.24
Auf Lager
- Zusätzlich 3’960 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.662 | CHF.13.21 |
| 200 - 480 | CHF.0.567 | CHF.11.38 |
| 500 + | CHF.0.494 | CHF.9.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 806-1255
- Herst. Teile-Nr.:
- NDT014L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | NDT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie NDT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.8 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 2.8 A, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex IntelliFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223