onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
166-2837
Herst. Teile-Nr.:
NDT014L
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

NDT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.85V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.6nC

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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