onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
124-1332
Herst. Teile-Nr.:
FDT86102LZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

46mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.7mm

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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