ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V 7.8 W, 3-Pin R6003JND4TL1 SOT-223-3

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Herst. Teile-Nr.:
R6003JND4TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223-3

Serie

R60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.15Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

7.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 600V 1,3A SOT 223 3 Presto MOS mit integrierter Hochgeschwindigkeitsdiode ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerung, geeignet für Schaltanwendungen. Dies erhöht die Design-Flexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Rücklaufzeit, die für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken und Klimaanlagen optimiert ist.

Schnelle Rücklaufzeit

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Antriebsschaltungen können einfach sein

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

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