ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 265-284
- Herst. Teile-Nr.:
- R6010YND3TL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.11.76
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.176 | CHF.11.81 |
| 100 - 240 | CHF.1.124 | CHF.11.23 |
| 250 - 490 | CHF.1.04 | CHF.10.40 |
| 500 - 990 | CHF.0.956 | CHF.9.57 |
| 1000 + | CHF.0.924 | CHF.9.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-284
- Herst. Teile-Nr.:
- R6010YND3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | R60 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie R60 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltfunktionen aus und eignet sich daher ideal für verschiedene Schaltanwendungen. Der niedrige Einschaltwiderstand erhöht die Effizienz durch Minimierung der Verlustleistung, während die hohe Schaltgeschwindigkeit eine schnelle Reaktionszeit in dynamischen Umgebungen ermöglicht. Diese Kombination von Eigenschaften gewährleistet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen, wie z. B. Power Management und Motorsteuerung.
Antriebsschaltungen können einfach sein
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 60 W, 3-Pin R6004RND3TL1 TO-252
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 125 W, 3-Pin R6009RND3TL1 TO-252
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 94 W, 3-Pin R6009KND3TL1 TO-252
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 92 W, 3-Pin R6010YNX3C16 JEDEC TO-220AB
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 7 V / 7 A 96 W, 3-Pin R6007RND3TL1 TO-252
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 47 W, 3-Pin R6010YNXC7G TO-220FM
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A 90 W, 3-Pin R6049YNXC7G TO-220FM
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 245 W, 3-Pin R6027YNZ4C13 TO-247