ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 92 W, 3-Pin R6010YND3TL1 TO-252

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RS Best.-Nr.:
265-284
Herst. Teile-Nr.:
R6010YND3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R60

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

92W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltfunktionen aus und eignet sich daher ideal für verschiedene Schaltanwendungen. Der niedrige Einschaltwiderstand erhöht die Effizienz durch Minimierung der Verlustleistung, während die hohe Schaltgeschwindigkeit eine schnelle Reaktionszeit in dynamischen Umgebungen ermöglicht. Diese Kombination von Eigenschaften gewährleistet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen, wie z. B. Power Management und Motorsteuerung.

Antriebsschaltungen können einfach sein

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

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