ROHM RF9L120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 12 A 23 W, 6-Pin DFN2020Y7LSAA
- RS Best.-Nr.:
- 264-940
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9L120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.5.88
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.588 | CHF.5.92 |
| 100 - 240 | CHF.0.567 | CHF.5.62 |
| 250 - 490 | CHF.0.525 | CHF.5.21 |
| 500 - 990 | CHF.0.483 | CHF.4.79 |
| 1000 + | CHF.0.462 | CHF.4.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-940
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9L120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RF9L120BKFRA | |
| Gehäusegröße | DFN2020Y7LSAA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RF9L120BKFRA | ||
Gehäusegröße DFN2020Y7LSAA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET stellt eine hochmoderne Lösung für Hochleistungsanwendungen dar. Bei der Entwicklung dieses Bauteils wurde besonderer Wert auf Effizienz und Zuverlässigkeit gelegt, so dass es sich ideal für eine Reihe von Anwendungen in der Automobilelektronik, in Beleuchtungssystemen und bei verschiedenen Ladevorgängen eignet.
Pb-freie und RoHS-konforme Materialien unterstützen umweltfreundliche Praktiken
Halogenfreie Konstruktion trägt zu sichereren Entsorgungsmöglichkeiten bei
Das benetzbare Flankendesign erleichtert die visuelle Inspektion während der Herstellung
Verwandte Links
- ROHM RF9P120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 23 W, 6-Pin RF9P120BKFRATCR DFN2020Y7LSAA
- ROHM BD9E203FP4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 28 V / 2 A, 6-Pin BD9E203FP4-ZTL TSOT-23-6CJ
- ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3L270BKFRATCB HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270BLFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3L270BLFRATCB HSMT-8AG
- Infineon BSS138I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS159NH6327XTSA2 SOT-23
- Infineon BSS138I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin BSS138IXTSA1 SOT-23
- Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin LND150K1-G SOT-23